SiCなどの化合物半導体ウェーハ用面取りホイールの長寿命化
【化合物半導体ウェーハの面取りの課題】
低炭素社会における省電力化の流れにおいて、パワーデバイスの基板となる化合物半導体ウェーハの生産は着実な伸びが期待されています。その鍵となるのがウェーハの加工コストで、その面取り加工においてもダイヤモンド工具の寿命向上が重要。チッピングを抑えてホイールライフの長寿命化が必要です。
【メタルボンド面取りホイールで解決】
ホイールの長寿命化は、工具の切り替えタクトの短縮、総使用コストの削減等のメリットにつながります。当社のメタルボンド面取りホイールは、SiC(シリコンカーバイド))や GaN(窒化ガリウム)ウェーハ加工用に最適化しており、チッピングを抑え、かつ長寿命を実現します。
切れ味が良く、コストパフォーマンスに優れた電着面取りホイールもご提供致します。
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SiCウェーハの面取りホイール寿命比較
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他社製ホイールに比べ30%以上寿命が向上
ホイールの幾何形状精度の向上と、化合物半導体ウェーハ用に最適化したメタルボンドの開発により、SiCウェーハの面取り加工において他社製品比較30%以上寿命が向上したテスト結果が得られました。
半導体ウェーハの面取りに最適な研削工具
化合物半導体ウェーハ面取り用 メタルボンドホイール
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【参考ホイールサイズ・仕様】
粒度 : #400〜#3000 ※粗・仕上げ一体型ホイール製作可能
外径 : φ102 , φ202 (その他サイズは、ご相談ください)
内径 : H6公差 (その他の公差は、ご相談ください)
動バランス: ≧0.1g @Min.
溝角度公差: 公差≧0.5度(片角)
溝数 : 〜10溝(溝形状によっては10溝以上も可能です)
粒度 : #400〜#3000 ※粗・仕上げ一体型ホイール製作可能
外径 : φ102 , φ202 (その他サイズは、ご相談ください)
内径 : H6公差 (その他の公差は、ご相談ください)
動バランス: ≧0.1g @Min.
溝角度公差: 公差≧0.5度(片角)
溝数 : 〜10溝(溝形状によっては10溝以上も可能です)
チッピングの発生率、加工ダメージを抑えるために、独自の砥粒管理を行ったダイヤモンドを使用。
耐摩耗性に優れたボンドの採用により、ホイール形状の寸法維持性が高く、長寿命です。