SiCウェーハ平面研削の【粗加工】におけるホイールの長寿命化

【SiCウェーハの粗加工の課題】

低炭素社会における省電力化の流れにおいて、より効率的なパワーデバイス基板となるSiCウェーハが注目され高い成長が期待されています。ですがSiCウェーハは硬度が高い難削材として知られており、加工時間が掛かる・加工する砥石(ダイヤモンドホイール)の摩耗が激しという課題がありました。

 

そのためウェーハの加工コストが従来のシリコンウェーハと比較してSiCウェーハは非常に高く、特に取り代が多いウェーハ平面研削での粗加工工程では、安定した加工性を有する高寿命なダイヤモンドホイールが求められていました。

 

【有気孔ビトリファイドボンドホイールで解決】

当社の有気孔ビトリボンドホイール「ベガ」は、独自の砥石組織コントロール技術によって開発した新ボンドホイールです。特にSiCウェーハの平面研削での粗研削加工で加工性とホイール寿命を両立しています。
6インチSiCウェーハもノンドレスで加工が可能です。優れた耐摩耗性でホイールあたりのウェーハ加工可能枚数を増やし、ウェーハの加工コスト低減に貢献します。

 

■従来品から大幅に寿命向上(ホイール摩耗率15%以下)
■切込速度0.6μm/secで安定した加工性を達成
■研削性重視と寿命重視の2タイプをラインナップ
■バルクウェーハの粗研削工程(Si面)、デバイス工程でのウェーハバックグラインド(C面)で実績
■研削後表面粗さ Ra17nm-20nm

SiCウェーハ平面研削の【粗加工】におけるホイールの長寿命化 画像 SiCウェーハ平面研削の【粗加工】におけるホイールの長寿命化 画像

有気孔ビトリボンドホイールの摩耗率/研削性データ

有気孔ビトリボンドホイールの摩耗率/研削性データ 画像

摩耗率/研削性のテスト加工条件

研削盤     : HRG300 (東京精密)

粒度      : SD2000

ホイールサイズ : 246D-2.8W-32P

ホイール回転数 : 2,000rpm~2,500rpm

切込速度    : 0.6μm/sec

切込量     : 150μm

被削材     : 6inch SiC Wafer(4H-N)

※社内に評価装置・環境を整備。

半導体ウェーハの加工に最適な研削工具

化合物半導体ウェーハ平面研削用  「ベガ」有気孔ビトリファイドボンドホイール

【製品仕様例】
 ボンド種: 有気孔ビトリファイド
 粒 度 : #1000~#3000(粗加工用)

【対象加工素材】
 SiC、GaN、GaAs、LT/LN

■安定した加工性と高寿命を両立

■社内にホイール評価設備・環境を整備しておりウェーハ支給での評価テストも可能